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NVMFS5C426NAFT1G

功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NVMFS5C426NAFT1G 功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, 表面安装
制造商ONSEMI
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NVMFS5C426NAFT1G复制
    库存编号
    复卷3368864RL
    切割卷带3368864
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds40V
    电流, Id 连续235A
    漏源接通状态电阻0.002ohm
    晶体管封装类型DFN
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3.5V
    功率耗散128W
    针脚数5引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规AEC-Q101
    SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    235A

    晶体管封装类型

    DFN

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    128W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    AEC-Q101

    漏源电压, Vds

    40V

    漏源接通状态电阻

    0.002ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3.5V

    针脚数

    5引脚

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (27-Jun-2024)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (27-Jun-2024)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.0004