NVMFD5C478NT1G

双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.017 ohm

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ONSEMI NVMFD5C478NT1G 双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 27 A, 27 A, 0.017 ohm
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产品信息

  • 制造商ONSEMI
    制造商产品编号NVMFD5C478NT1G复制
    库存编号
    复卷2895745RL
    切割卷带2895745
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压Vds N沟道40V
    漏源电压Vds P沟道40V
    连续漏极电流 Id N沟道27A
    连续漏极电流 Id P沟道27A
    漏源通态电阻N沟道0.017ohm
    漏源导通电阻P沟道-
    晶体管封装类型DFN
    针脚数8引脚
    耗散功率N沟道23W
    耗散功率P沟道23W
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    漏源电压Vds P沟道

    40V

    连续漏极电流 Id P沟道

    27A

    漏源导通电阻P沟道

    -

    针脚数

    8引脚

    耗散功率P沟道

    23W

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    漏源电压Vds N沟道

    40V

    连续漏极电流 Id N沟道

    27A

    漏源通态电阻N沟道

    0.017ohm

    晶体管封装类型

    DFN

    耗散功率N沟道

    23W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.0001