打印页面

NTMFS5C604NLT1G

功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NTMFS5C604NLT1G 功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 276 A, 930 µohm, DFN, 表面安装
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS5C604NLT1G复制
库存编号
复卷2452046RL
切割卷带2452046
您的零件号
技术数据表

Data Sheet

查看所有技术文档
2,844 有货

6,000 您现在可以预订货品了

2,843 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
1 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
包装类型数量单价 (不含增值税):合计
切割卷带1CNY28.640CNY28.64
合计 价钱 (含税) CNY28.64 (CNY32.36)
切割卷带 & 复卷
数量价钱 (含税)
1+CNY28.640 (CNY32.3632)
10+CNY28.390 (CNY32.0807)
100+CNY28.140 (CNY31.7982)
500+CNY27.890 (CNY31.5157)
1000+CNY27.630 (CNY31.2219)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。

产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NTMFS5C604NLT1G复制
    库存编号
    复卷2452046RL
    切割卷带2452046
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续276A
    漏源接通状态电阻930µohm
    晶体管封装类型DFN
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2V
    功率耗散3.2W
    针脚数5引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

产品概述

  • NTMFS5C604NLT1G是一款N沟道功率MOSFET，提供60V漏极源极电压和276A连续漏电流。

    • 占地面积小（5 x 6mm），设计紧凑
    • 低RDS (ON), 低传导损耗
    • 低QG和电容, 降低驱动器损耗
    • 工作结温范围: -55到150°C

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    276A

    晶体管封装类型

    DFN

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    3.2W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    930µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2V

    针脚数

    5引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

技术文档 3

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000222