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NTMFS005P03P8ZT1G

功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NTMFS005P03P8ZT1G 功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 164 A, 2700 µohm, DFN, 表面安装
制造商ONSEMI
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复卷4381448RL
切割卷带4381448
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NTMFS005P03P8ZT1G复制
    库存编号
    复卷4381448RL
    切割卷带4381448
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压, Vds30V
    电流, Id 连续164A
    漏源接通状态电阻2700µohm
    晶体管封装类型DFN
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值3V
    功率耗散104W
    针脚数5引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    164A

    晶体管封装类型

    DFN

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    104W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    30V

    漏源接通状态电阻

    2700µohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    3V

    针脚数

    5引脚

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Malaysia
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：Y-Ex

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000001