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NTMD3P03R2G

双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NTMD3P03R2G 双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 3.05 A, 3.05 A, 0.085 ohm
制造商ONSEMI
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库存编号
整卷2442236
复卷2845405RL
切割卷带2845405
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5+CNY8.090 (CNY9.1417)
50+CNY6.730 (CNY7.6049)
100+CNY5.370 (CNY6.0681)
500+CNY4.220 (CNY4.7686)
1000+CNY3.850 (CNY4.3505)
整卷
数量价钱 (含税)
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NTMD3P03R2G复制
    库存编号
    整卷2442236
    复卷2845405RL
    切割卷带2845405
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压Vds N沟道30V
    漏源电压Vds P沟道30V
    连续漏极电流 Id N沟道3.05A
    连续漏极电流 Id P沟道3.05A
    漏源通态电阻N沟道0.085ohm
    漏源导通电阻P沟道0.085ohm
    晶体管封装类型SOIC
    针脚数8引脚
    耗散功率N沟道2W
    耗散功率P沟道2W
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    漏源电压Vds P沟道

    30V

    连续漏极电流 Id P沟道

    3.05A

    漏源导通电阻P沟道

    0.085ohm

    针脚数

    8引脚

    耗散功率P沟道

    2W

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    漏源电压Vds N沟道

    30V

    连续漏极电流 Id N沟道

    3.05A

    漏源通态电阻N沟道

    0.085ohm

    晶体管封装类型

    SOIC

    耗散功率N沟道

    2W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Philippines
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000759