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NTHL025N065SC1

碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI NTHL025N065SC1 碳化硅MOSFET, EliteSiC, 单, N通道, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
制造商ONSEMI
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库存编号3973627
产品范围EliteSiC Series
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号NTHL025N065SC1复制
    库存编号3973627
    产品范围EliteSiC Series
    技术数据表

    Data Sheet

    MOSFET模块配置单
    通道类型N通道
    电流, Id 连续99A
    漏源电压, Vds650V
    漏源接通状态电阻0.019ohm
    晶体管封装类型TO-247
    针脚数3引脚
    Rds(on)测试电压18V
    阈值栅源电压最大值2.8V
    功率耗散348W
    工作温度最高值175°C
    产品范围EliteSiC Series
    SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)

技术规格

  • MOSFET模块配置

    单

    电流, Id 连续

    99A

    漏源接通状态电阻

    0.019ohm

    针脚数

    3引脚

    阈值栅源电压最大值

    2.8V

    工作温度最高值

    175°C

    SVHC(高度关注物质)

    Lead (25-Jun-2025)

    通道类型

    N通道

    漏源电压, Vds

    650V

    晶体管封装类型

    TO-247

    Rds(on)测试电压

    18V

    功率耗散

    348W

    产品范围

    EliteSiC Series

技术文档 2

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法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:Lead (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.009072