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FDB33N25TM
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-263AB, 表面安装
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产品信息
- 制造商ONSEMI制造商产品编号FDB33N25TM复制库存编号2322575技术数据表通道类型N通道漏源电压, Vds250V电流, Id 连续33A漏源接通状态电阻0.094ohm晶体管封装类型TO-263AB晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值3V功率耗散235W针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围-合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
FDB33N25TM是一款250V N沟道UniFET™ MOSFET, 采用平面条带和DMOS技术。这款高压MOSFET设计降低导通电阻, 并提供更好的开关性能和更高的雪崩强度。UniFET FRFET® MOSFET具有优秀的主体二极管反向恢复性能 (寿命控制)。trr <lt/> 100ns, 反向dv/dt抗扰能力为 15V/ns, 而普通平面MOSFET的性能超过200ns和4.5V/ns。因此, 该器件可以为应用设计减少额外的元件, 并提高系统可靠性。该器件适用于开关电源转换器应用, 例如功率因数校正 (PFC), 平板显示器 (FPD) 电视电源, ATX和电子灯镇流器。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 低栅极电荷
- 100%经过雪崩测试
技术规格
- 通道类型
N通道
电流, Id 连续33A
晶体管封装类型TO-263AB
Rds(on)测试电压10V
功率耗散235W
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds250V
漏源接通状态电阻0.094ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值3V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
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法律与环境
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：Y-ExRoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.001658