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FCB20N60
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 100+ | CNY31.170 (CNY35.2221) |
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产品信息
- 制造商ONSEMI制造商产品编号FCB20N60复制库存编号1095000技术数据表通道类型N通道漏源电压, Vds600V电流, Id 连续20A漏源接通状态电阻0.19ohm晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)晶体管安装表面安装Rds(on)测试电压10V阈值栅源电压最大值5V功率耗散208W针脚数3引脚工作温度最高值150°C产品范围-合规-湿气敏感性等级MSL 1 -无限制SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
产品概述
The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
- Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
- Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
- 100% avalanche tested
警告
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技术规格
- 通道类型
N通道
电流, Id 连续20A
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压10V
功率耗散208W
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (27-Jun-2024)
漏源电压, Vds600V
漏源接通状态电阻0.19ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值5V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
技术文档 1
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法律与环境
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：Y-ExRoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.001458