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2V7002WT1G

功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SC-70, 表面安装

ONSEMI
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
ONSEMI 2V7002WT1G 功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 310 mA, 1.6 ohm, SC-70, 表面安装
制造商ONSEMI
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复卷2630397RL
切割卷带2630397
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数量价钱 (含税)
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50+CNY1.040 (CNY1.1752)
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产品信息

  • ONSEMI
    制造商ONSEMI
    制造商产品编号2V7002WT1G复制
    库存编号
    复卷2630397RL
    切割卷带2630397
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续310mA
    漏源接通状态电阻1.6ohm
    晶体管封装类型SC-70
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.5V
    功率耗散280mW
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规AEC-Q101
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • 警告

    该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    310mA

    晶体管封装类型

    SC-70

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    280mW

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    AEC-Q101

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    1.6ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.5V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

技术文档 2

2V7002WT1G 的替代之选

  • 找到 3 件产品

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412100
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.00001