2N7002K

功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, 表面安装

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ONSEMI 2N7002K 功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, 表面安装
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7002K复制
制造商标准货期29 周
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整卷2438128
复卷2453382RL
切割卷带2453382
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产品信息

  • 制造商ONSEMI
    制造商产品编号2N7002K复制
    制造商标准货期29 周
    库存编号
    整卷2438128
    复卷2453382RL
    切割卷带2453382
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续300mA
    漏源接通状态电阻2ohm
    晶体管封装类型SOT-23
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.5V
    功率耗散350mW
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • 2N7002K是一款N沟道增强模式场效应晶体管, 具有低导通电阻, 低栅极阈值电压, 低输入电容, 快速开关速度.

    • 低输入/输出泄漏
    • ±20V栅-源电压

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    300mA

    晶体管封装类型

    SOT-23

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    350mW

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    2ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.5V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

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法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412100
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000181