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2N7002
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.150 | CNY40.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.150 (CNY9.2095) |
| 10+ | CNY5.700 (CNY6.441) |
| 100+ | CNY3.620 (CNY4.0906) |
| 500+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 1000+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
| 5000+ | CNY2.160 (CNY2.4408) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 9000+ | CNY2.200 (CNY2.486) |
品項附註
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产品概述
2N7002是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度与DMOS技术生产。该产品最大限度地降低了导通电阻, 同时提供坚固, 可靠与快速的开关性能。可用于大多数需要高达400mADC的应用, 并可提供高达2A的脉冲电流。适用于低电压, 低电流应用, 如小型伺服电机控制或功率MOSFET门驱动器。
- 高密度单元设计, 极低RDS(ON)
- 高饱和电流能力
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
技术规格
- 通道类型
N通道
电流, Id 连续115mA
晶体管封装类型SOT-23
Rds(on)测试电压10V
功率耗散200mW
工作温度最高值150°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds60V
漏源接通状态电阻7.5ohm
晶体管安装表面安装
阈值栅源电压最大值2.1V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
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法律与环境
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.000031