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NVMFS5C638NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 133 A, 0.003 ohm, DFN, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY25.520 | CNY25.52 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY25.520 (CNY28.8376) |
| 10+ | CNY16.610 (CNY18.7693) |
| 100+ | CNY11.510 (CNY13.0063) |
| 500+ | CNY9.380 (CNY10.5994) |
| 1000+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
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产品概述
NVMFS5C638NLT1G is an N-channel, power, single MOSFET.
- Small footprint (5x6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Drain−to−source breakdown voltage is 60V min at VGS = 0V, ID = 250µA
- Drain−to−source breakdown voltage temperature coefficient is 26mV/°C typ
- Drain−to−source on resistance is 2.6mohm typ at VGS = 10V, ID = 50A
- Forward diode voltage is 0.84V typ at VGS = 0V, IS = 50A, TJ = 25°C
- DFN5 package
- Operating junction and storage temperature range from -55 to + 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
133A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
100W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.003ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001