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NVMFD5C478NLT1G
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 29 A, 29 A, 0.0145 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.960 | CNY19.96 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.960 (CNY22.5548) |
| 10+ | CNY12.880 (CNY14.5544) |
| 100+ | CNY8.770 (CNY9.9101) |
| 500+ | CNY7.020 (CNY7.9326) |
| 1000+ | CNY6.050 (CNY6.8365) |
| 5000+ | CNY5.930 (CNY6.7009) |
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产品信息
制造商ONSEMI
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库存编号
复卷2895743RL
切割卷带2895743
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道29A
连续漏极电流 Id P沟道29A
漏源通态电阻N沟道0.0145ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型DFN
针脚数8引脚
耗散功率N沟道23W
耗散功率P沟道23W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
29A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
23W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
29A
漏源通态电阻N沟道
0.0145ohm
晶体管封装类型
DFN
耗散功率N沟道
23W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001