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NVF3055L108T1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.120 | CNY12.12 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.120 (CNY13.6956) |
| 10+ | CNY7.700 (CNY8.701) |
| 50+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 200+ | CNY4.540 (CNY5.1302) |
| 500+ | CNY3.990 (CNY4.5087) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NVF3055L108T1G复制
库存编号
复卷2630364RL
切割卷带2630364
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续3A
漏源接通状态电阻0.12ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压5V
阈值栅源电压最大值1.68V
功率耗散2.1W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
5V
功率耗散
2.1W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.68V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
NVF3055L108T1G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000218