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NTMFS7D8N10GTWG
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY47.410 | CNY47.41 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY47.410 (CNY53.5733) |
| 10+ | CNY31.030 (CNY35.0639) |
| 100+ | CNY23.180 (CNY26.1934) |
| 500+ | CNY19.370 (CNY21.8881) |
| 1000+ | CNY17.960 (CNY20.2948) |
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
187W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
5600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004