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NTMFS5H600NLT1G
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 250 A, 1100 µohm, DFN, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY32.670 | CNY32.67 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY32.670 (CNY36.9171) |
| 10+ | CNY18.820 (CNY21.2666) |
| 100+ | CNY13.720 (CNY15.5036) |
| 500+ | CNY12.120 (CNY13.6956) |
| 1000+ | CNY11.890 (CNY13.4357) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMFS5H600NLT1G复制
库存编号
复卷2677182RL
切割卷带2677182
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续250A
漏源接通状态电阻1100µohm
晶体管封装类型DFN
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散160W
针脚数5引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
- Single N-channel power MOSFET
- Small footprint for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Improve switching performance
- applications: point of load modules, high performance DC-DC converters, secondary Syn. rectification
- End products: netcom, telecom, server, AC adapter and handheld power tools
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
250A
晶体管封装类型
DFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
160W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
1100µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002