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NDT451AN
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 7.2 A, 0.035 ohm, SOT-223, 表面安装
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| 500+ | CNY4.710 (CNY5.3223) |
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产品概述
The NDT451AN is a N-channel enhancement-mode Power FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. It is particularly suited for low voltage applications such as DC-to-DC conversion where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7.2A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.6V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454