打印页面
FDS8949
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 6 A, 0.029 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
21,290 有货
需要更多？
12,273 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
9,017 件可于 5-6 个工作日内送达(美国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.120 | CNY40.60 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.120 (CNY9.1756) |
| 50+ | CNY7.220 (CNY8.1586) |
| 100+ | CNY6.320 (CNY7.1416) |
| 500+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 1000+ | CNY4.870 (CNY5.5031) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY4.770 (CNY5.3901) |
| 7500+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
FDS8949 是一款双N沟道逻辑电平MOSFET, 采用PowerTrench® 工艺制造。经过专门设计, 最大化降低导通状态电阻, 并保持出色的开关性能。该器件适用于需要低功率损耗和快速开关性能, 低压和电池供电应用。
- 低门电荷
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.029ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
FDS8949 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000111