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FDS86140
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 11.2 A, 9800 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY22.550 | CNY112.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY22.550 (CNY25.4815) |
| 50+ | CNY19.240 (CNY21.7412) |
| 100+ | CNY15.930 (CNY18.0009) |
| 500+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
| 1000+ | CNY13.300 (CNY15.029) |
品項附註
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产品概述
FDS86140 是一款N沟道MOSFET, 采用Fairchild Semiconductor公司的PowerTrench®工艺之制造。适用于DC-DC转换器, 离线UPS, 高压同步整流器应用。
- 高性能沟道技术, 极低的Rds (ON)
- 高功率, 高电流处理能力, 适用于表面安装应用
- 100% UIL经过测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11.2A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
9800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005