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FDP5800
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 80 A, 6000 µohm, TO-220, 通孔
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产品概述
The FDP5800 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and uninterruptible power supplies applications.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handing capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
80A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
242mW
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00186