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FDP083N15A-F102
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 117 A, 6850 µohm, TO-220, 通孔
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| 10+ | CNY25.760 (CNY29.1088) |
| 100+ | CNY25.250 (CNY28.5325) |
| 500+ | CNY24.730 (CNY27.9449) |
| 1000+ | CNY24.220 (CNY27.3686) |
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产品概述
The FDP083N15A_F102 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification for ATX/server/telecom PSU, battery protection circuit and uninterruptible power supplies.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
117A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
294W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
6850µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001996