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FDN335N
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY3.490 | CNY17.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.490 (CNY3.9437) |
| 50+ | CNY2.870 (CNY3.2431) |
| 100+ | CNY2.260 (CNY2.5538) |
| 500+ | CNY1.730 (CNY1.9549) |
| 1500+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY1.650 (CNY1.8645) |
| 9000+ | CNY1.620 (CNY1.8306) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDN335N复制
库存编号
整卷2323183
复卷9845348RL
切割卷带9845348
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续1.7A
漏源接通状态电阻0.07ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散500mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
FDN335N是一款N沟道2.5V MOSFET, 采用先进PowerTrench® 工艺, 该工艺最大限度地降低了导通电阻, 同时保持低栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。
- 低栅极阈值电压
- 高性能Trench技术, 极低的Rds
- 高功率, 高电流处理能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.07ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000037