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FDD86110
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 50 A, 0.0102 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY18.750 | CNY93.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY18.750 (CNY21.1875) |
| 50+ | CNY15.950 (CNY18.0235) |
| 100+ | CNY13.150 (CNY14.8595) |
| 500+ | CNY12.890 (CNY14.5657) |
| 1000+ | CNY12.630 (CNY14.2719) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD86110复制
库存编号
复卷2083236RL
切割卷带2083236
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻0.0102ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散127W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
FDD86110是一款100V N沟道屏蔽型栅极PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采用先进的技术, 这款设备的FOM (品质因数 (QGxRDS (ON)))比上一代低66％。新型PowerTrench® MOSFET的软体二极管性能无需缓冲电路或者替换更高的额定电压 - 可以将电压尖峰降至最低。该产品是通用型, 适用于许多不同的应用。
- 屏蔽栅极MOSFET技术
- 100%经过UIL测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
127W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0102ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001134