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FDC602P
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY4.530 | CNY22.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY4.530 (CNY5.1189) |
| 50+ | CNY3.750 (CNY4.2375) |
| 100+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 500+ | CNY2.080 (CNY2.3504) |
| 1500+ | CNY2.040 (CNY2.3052) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDC602P复制
库存编号
复卷1495223RL
切割卷带1495223
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续5.5A
漏源接通状态电阻0.035ohm
晶体管封装类型SuperSOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散1.6W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The FDC602P is a 2.5V specified P-channel MOSFET uses a rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5 to 12V). It is suitable for use in battery management, load switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.5A
晶体管封装类型
SuperSOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
1.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000049