打印页面
FDB024N08BL7
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：72 周
有货时请通知我
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY45.760 | CNY45.76 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY45.760 (CNY51.7088) |
| 10+ | CNY30.540 (CNY34.5102) |
| 100+ | CNY21.940 (CNY24.7922) |
| 500+ | CNY18.820 (CNY21.2666) |
| 1000+ | CNY18.450 (CNY20.8485) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDB024N08BL7复制
制造商标准货期72 周
库存编号
复卷3368721RL
切割卷带3368721
产品范围PowerTrench
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻0.0024ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散246W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围PowerTrench
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
246W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
7引脚
产品范围
PowerTrench
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004