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FCP190N65S3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 17 A, 0.19 ohm, TO-220, 通孔
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FCP190N65S3复制
制造商标准货期42 周
库存编号2773491
产品范围SuperFET III
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.19ohm
晶体管封装类型TO-220
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散144W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围SuperFET III
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
ON Semiconductor 650V SuperFET III系列具有卓越的性能, 超结MOSFET专为高功率密度应用设计。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-220
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
144W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.19ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4.5V
针脚数
3引脚
产品范围
SuperFET III
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.032