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ECH8651R-TL-H
双路场效应管, MOSFET, N通道, 24 V, 24 V, 10 A, 10 A, 0.014 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.760 | CNY9.76 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.760 (CNY11.0288) |
| 10+ | CNY6.150 (CNY6.9495) |
| 100+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
| 500+ | CNY3.160 (CNY3.5708) |
| 1000+ | CNY2.320 (CNY2.6216) |
| 5000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号ECH8651R-TL-H复制
库存编号
复卷2724447RL
切割卷带2724447
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道24V
漏源电压Vds P沟道24V
连续漏极电流 Id N沟道10A
连续漏极电流 Id P沟道10A
漏源通态电阻N沟道0.014ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-28FL
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
- Low On-Resistance
- 2.5V drive
- Common-drain type dual MOSFET
- Built-in proctetion diodes
- Built-in gate protection resistors
- Best suited for lithium battery (LiB) charging/discharging switching
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
24V
连续漏极电流 Id P沟道
10A
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
24V
连续漏极电流 Id N沟道
10A
漏源通态电阻N沟道
0.014ohm
晶体管封装类型
SOT-28FL
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001