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2N7000
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 100+ | CNY2.070 (CNY2.3391) |
| 500+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 1000+ | CNY1.160 (CNY1.3108) |
| 5000+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号2N7000复制
库存编号9845178
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型TO-92
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散400mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
2N7000是一款N沟道增强型场效应晶体管, 采用高单元密度, DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺旨在最大限度地降低导通电阻, 同时提供耐用, 可靠与快速的开关性能。它可用于大多数需要高达400mA直流电流的应用场景，并能提供高达2A的脉冲电流。适用于低电压，低电流应用，例如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及其他开关应用。
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
TO-92
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
2N7000 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000356