MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

产品概述

• 产品概述

  MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 是一款高速 DDR4 SDRAM 模块，使用具有两个或四个内部内存组的 DDR4 SDRAM 器件。使用 4 位和 8 位宽 DDR4 SDRAM 器件的 DDR4 SDRAM 模块有四个内部存储体组，每个组有四个存储体，共 16 个存储体。16 位宽 DDR4 SDRAM 器件有两个内部存储体组，每个组由四个存储体组成，共提供八个存储体。DDR4 SDRAM 模块得益于 DDR4 SDRAM 采用的 8n-prefetch 架构，其接口设计为每个时钟周期在 I/O 引脚上传输两个数据字。DDR4 SDRAM 的单次 "读取 "或 "写入 "操作实际上包括在内部 DRAM 内核上进行一次 8n 位宽、四个时钟周期的数据传输，以及在 I/O 引脚上进行 8 次相应的 n 位宽、一个半时钟周期的数据传输。DDR4 模块使用两组差分信号： DQS-t 和 DQS-c 用于捕获数据，CK-t 和 CK-c 用于捕获命令、地址和控制信号。

  • 8GB 模块密度，1 千兆 x 64 配置，25.6GB/秒模块带宽
  • 0.62ns/3200 MT/s 内存时钟/数据速率，22-22-22 个时钟周期 (CL-tRCD-tRP)
  • VDD 电源电压范围为 1.14 至 1.26V，DRAM 启动电源电压范围为 2.375 至 2.75V
  • 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终止 (ODT)
  • 低功耗自动自刷新 (LPASR)，数据总线反转 (DBI)
  • 片上 VREFDQ 生成和校准、单排、金边触点
  • 板载 I²C 串行存在检测 EEPROM，16 个内部存储体；4 组，每组 4 个存储体
  • 通过模式寄存器组 (MRS) 固定 4 个突发斩波 (BC) 和 8 个突发长度 (BL)
  • 旁路拓扑结构，终端控制指令和地址总线
  • 260 引脚 DIMM 封装，商业工作温度范围为 0°C 至 95°C