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产品信息
产品概述
MT53E2G32D4DE-046 WT:C是一款LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM。16Gb 移动低功耗 DDR4 SDRAM 具有低 VDDQ (LPDDR4X),是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器器件。该器件内部配置为 2 通道或 1 通道 ×16 I/O,每个通道有 8 个存储库。
- 16n预取DDR架构,每通道8个内部存储库实现并行操作
- 单数据速率CMD/ADR输入,每字节通道配备双向/差分数据选通信号
- 可编程读写延迟(RL/WL),可编程实时突发长度(BL=16,32)
- 定向逐组刷新实现并行组操作与简易命令调度
- 单芯片x16通道最高8.5GB/s传输速率,内置温度传感器控制自刷新频率
- 部分阵列自刷新(PASR),可选输出驱动强度(DS),时钟停止功能
- 总容量8GB(64Gb),每引脚数据速率4266Mb/s
- 200球TFBGA封装
- 工作温度范围:-25°C至+85°C
技术规格
- DRAM类型
Mobile LPDDR4
记忆配置2G x 32位
IC 外壳 / 封装TFBGA
额定电源电压1.1V
工作温度最小值-25°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度64Gbit
时钟频率最大值2.133GHz
针脚数200引脚
芯片安装表面安装
工作温度最高值85°C
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
法律与环境
- 原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号:85423239US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规:是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)下载产品合规证书产品合规证书
重量(千克):.002049
