MT53E2G32D4DE-046 WT:C

DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32位, 2.133 GHz, TFBGA, 200 引脚

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MICRON MT53E2G32D4DE-046 WT:C DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32位, 2.133 GHz, TFBGA, 200 引脚
MICRON MT53E2G32D4DE-046 WT:C
MICRON MT53E2G32D4DE-046 WT:C
制造商MICRON
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产品信息

产品概述

  • MT53E2G32D4DE-046 WT:C是一款LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM。16Gb 移动低功耗 DDR4 SDRAM 具有低 VDDQ (LPDDR4X),是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器器件。该器件内部配置为 2 通道或 1 通道 ×16 I/O,每个通道有 8 个存储库。

    • 16n预取DDR架构,每通道8个内部存储库实现并行操作
    • 单数据速率CMD/ADR输入,每字节通道配备双向/差分数据选通信号
    • 可编程读写延迟(RL/WL),可编程实时突发长度(BL=16,32)
    • 定向逐组刷新实现并行组操作与简易命令调度
    • 单芯片x16通道最高8.5GB/s传输速率,内置温度传感器控制自刷新频率
    • 部分阵列自刷新(PASR),可选输出驱动强度(DS),时钟停止功能
    • 总容量8GB(64Gb),每引脚数据速率4266Mb/s
    • 200球TFBGA封装
    • 工作温度范围:-25°C至+85°C

技术规格

  • DRAM类型

    Mobile LPDDR4

    记忆配置

    2G x 32位

    IC 外壳 / 封装

    TFBGA

    额定电源电压

    1.1V

    工作温度最小值

    -25°C

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (17-Dec-2015)

    存储密度

    64Gbit

    时钟频率最大值

    2.133GHz

    针脚数

    200引脚

    芯片安装

    表面安装

    工作温度最高值

    85°C

    湿气敏感性等级

    MSL 3 - 168小时

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Taiwan
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85423239
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.002049