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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
闪存, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8位, 并行口, TSOP, 48 引脚
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产品信息
制造商MICRON
制造商产品编号MT29F2G08ABAEAWP-IT:E复制
库存编号3577560
技术数据表
闪存类型SLC NAND
存储密度2Gbit
记忆配置256M x 8位
接口并行口
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数48引脚
时钟频率最大值50MHz
存取时间16ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3.3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3.3V Parallel NAND Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)
产品概述
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 是一款 NAND 闪存。它配备了一个异步数据接口，用于实现高性能的 I/O 操作。该器件采用高度复用的 8 位总线（I/Ox）来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。 其他信号用于控制硬件写保护并监控器件状态（R/B#）。该硬件接口使器件引脚数较少，且采用标准引脚排列，不同容量型号的引脚排列保持一致，从而无需重新设计电路板即可实现向更高容量的未来升级。 目标（Target）是通过芯片使能信号访问的存储单元。一个目标包含一个或多个 NAND 闪存芯片。NAND 闪存芯片是能够独立执行命令并报告状态的最小单元。在 ONFI 规范中，NAND 闪存芯片被称为逻辑单元（LUN）。每个芯片使能信号至少对应一个 NAND 闪存芯片。
- 符合开放式NAND闪存接口（ONFI）1.0标准的单级单元（SLC）技术
- 就绪/忙#（R/B#）信号提供了一种检测操作完成的硬件方法
- WP# 信号：对整个设备进行写保护
- 如果编程/擦除周期少于 1000 次，块 0 需要 1 位 ECC
- 上电后，第一个命令必须为 RESET (FFh)
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
- 数据保留：10 年，耐用性：100,000 次编程/擦除循环
- 2Gb 密度
- 3.3V（2.7–3.6V）工作电压范围
- 48 引脚 TSOP 封装，-40°C 至 +85°C 工业工作温度范围
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
闪存类型
SLC NAND
记忆配置
256M x 8位
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
50MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3.3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Dec-2015)
存储密度
2Gbit
接口
并行口
针脚数
48引脚
存取时间
16ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Singapore
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.02268