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IRF9530NPBF

功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, 通孔

INFINEON
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
INFINEON IRF9530NPBF 功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 13 A, 0.2 ohm, TO-220AB, 通孔
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF9530NPBF复制
库存编号8648603
产品范围HEXFET Series
也称为SP001570634
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10+CNY5.550 (CNY6.2715)
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500+CNY3.810 (CNY4.3053)
1000+CNY3.230 (CNY3.6499)
5000+CNY2.940 (CNY3.3222)
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产品信息

  • INFINEON
    制造商INFINEON
    制造商产品编号IRF9530NPBF复制
    库存编号8648603
    产品范围HEXFET Series
    也称为SP001570634
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型P通道
    漏源电压, Vds100V
    电流, Id 连续13A
    漏源接通状态电阻0.2ohm
    晶体管封装类型TO-220AB
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值4V
    功率耗散79W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围HEXFET Series
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • IRF9530NPBF是一款-100V单P沟道HEXFET功率MOSFET, TO-220AB封装。此MOSFET具有极低的单位面积导通电, 额定动态dv/dt, 耐用的快速开关以及全雪崩额定, 功率MOSFET提供极高的效率和稳定性, 用于多种应用。

    • 漏极至源极电压: -100V
    • 栅极-源极电压: ±20V
    • 导通电阻Rds(on)为200mohm
    • 功率损耗 Pd 为 79W（25°C）
    • 在Vgs -10V和25°C时，漏极连续电流Id为-14A
    • 工作结温范围：-55°C至175°C

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    13A

    晶体管封装类型

    TO-220AB

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    79W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    100V

    漏源接通状态电阻

    0.2ohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    4V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    HEXFET Series

    湿气敏感性等级

    -

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法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    Philippines
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.002041