IRF1018EPBF

功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, 通孔

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INFINEON IRF1018EPBF 功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 79 A, 7100 µohm, TO-220, 通孔
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF1018EPBF复制
制造商标准货期27 周
库存编号1602223
也称为SP001574502
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产品信息

  • 制造商INFINEON
    制造商产品编号IRF1018EPBF复制
    制造商标准货期27 周
    库存编号1602223
    也称为SP001574502
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds60V
    电流, Id 连续79A
    漏源接通状态电阻7100µohm
    晶体管封装类型TO-220
    晶体管安装通孔
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值4V
    功率耗散110W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值175°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • The IRF1018EPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability.

    • High efficiency synchronous rectification in SMPS
    • High frequency hard switching converter
    • Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
    • Fully characterized capacitance and avalanche SOA

    警告

    该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    79A

    晶体管封装类型

    TO-220

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    110W

    工作温度最高值

    175°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    60V

    漏源接通状态电阻

    7100µohm

    晶体管安装

    通孔

    阈值栅源电压最大值

    4V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    -

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法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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    产品合规证书

    重量(千克):.002