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|---|---|
| 1+ | CNY15.530 (CNY17.5489) |
| 10+ | CNY9.880 (CNY11.1644) |
| 100+ | CNY6.670 (CNY7.5371) |
| 500+ | CNY5.290 (CNY5.9777) |
| 1000+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 5000+ | CNY4.060 (CNY4.5878) |
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最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品概述
The IRF1018EPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability.
- High efficiency synchronous rectification in SMPS
- High frequency hard switching converter
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
- 通道类型
N通道
电流, Id 连续79A
晶体管封装类型TO-220
Rds(on)测试电压10V
功率耗散110W
工作温度最高值175°C
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds60V
漏源接通状态电阻7100µohm
晶体管安装通孔
阈值栅源电压最大值4V
针脚数3引脚
产品范围-
湿气敏感性等级-
IRF1018EPBF 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
- 原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号:85412900US ECCN:EAR99EU ECCN:NLRRoHS 合规:是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量(千克):.002
