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CY62128ELL-45ZXI
SRAM, 异步SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, TSOP, 32 引脚, 4.5 V
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| 50+ | CNY18.640 (CNY21.0632) |
| 100+ | CNY18.270 (CNY20.6451) |
| 250+ | CNY17.900 (CNY20.227) |
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产品概述
CY62128ELL-45ZXI 是一款1MB高性能CMOS静态随机访问存储器 (SRAM), 128K word x 8-bit结构。该器件采用先进的设计, 具有超低工作电流。这种设计提供更长的电池寿命™ (MoBL®), 非常适合便携式应用。该器件还具有自动关断功能, 在地址不改动时降低功耗。该器件的待机模式可将功耗降低99％。如果器件处于未导通状态, 8个输入和输出引脚处于高阻抗状态, 输出禁用, 或写入操作。写入操作, 请将芯片启用和写入启用设置为LOW。读取操作, 芯片启用和输出启用设置为LOW, 同时将写入启用设置为HIGH。在这种情况下, 地址引脚指定的存储单元可在I/O引脚上读取。
- 高速 - 45ns
- 引脚与CY62128B兼容
- 低待机功率
- 超低功率
- CE1, CE2和OE, 轻松扩展存储器
- 在不被选择时, 自动关断
- CMOS实现最佳速度/功率
技术规格
- SRAM类型
异步SRAM
记忆配置128K x 8位
针脚数32引脚
电源电压最大值5.5V
时钟频率最大值-
工作温度最小值-40°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度1Mbit
IC 外壳 / 封装TSOP
电源电压最小值4.5V
额定电源电压5V
芯片安装表面安装
工作温度最高值85°C
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
法律与环境
- 原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区税则号：85423245US ECCN:3A991.b.2.aEU ECCN:NLRRoHS 合规：是RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)下载产品合规证书产品合规证书
重量（千克）：.005292