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1EDI303XASEVALBOARDTOBO1
评估板，1EDI3030AS，1EDI3031AS，1EDI3033AS，SiC MOSFET 栅极驱动器
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产品概述
1EDI303XASEVALBOARDTOBO1是EiceDRIVER™ 1EDI303xAS评估板。该评估板专为简化EiceDRIVER™ 1EDI303xAS性能评估而设计，适用于碳化硅基应用。EiceDRIVER™栅极驱动器1EDI302xAS/1EDI303xAS是面向功率超过5KW的汽车电机驱动系统的高压IGBT/SiC-MOSFET驱动器。该器件基于Infineon无芯变压器(CT)技术，在低压域与高压域之间提供电隔离。该器件支持400V、600V及1200V IGBT/SiC-MOSFET技术。主逻辑电路支持5V和3.3V供电。高压域（次级侧）可直接驱动IGBT/SiC功率开关或外部升压级。短传播延迟与可控内部公差使PWM信号失真最小化。适用于主逆变器、DC-DC转换器、车载充电机、商用车辆动力总成逆变器及工业驱动应用。
- 简化产品性能评估，缩短开发周期并加速技术验证
- 通过在线仿真和评估板实现无缝产品评估与强力设计支持
- 单通道隔离式IGBT/SiC-MOSFET驱动器
- 适用于最高1200V的IGBT/SiC-MOSFET功率开关
- 11.5A峰值电流轨到轨输出
- DESAT保护功能，主动式米勒钳位
- 配备ASC引脚，适用于永磁同步电机驱动应用
- 符合UL 1577认证的无芯变压器隔离驱动器及基本绝缘
- 集成保护功能
- 开发符合ISO 26262标准
技术规格
硅芯制造商
Infineon
套件应用类型
电源管理
套件内容
评估板 1EDI3030AS，1EDI3031AS ，1EDI3033AS
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
硅芯号
1EDI3030AS, 1EDI3031AS, 1EDI3033AS
应用系统子类型
SiC MOSFET 栅极驱动器
产品范围
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.18