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G3R30MT12K

碳化硅MOSFET, 单, N通道, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247

GENESIC
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GENESIC G3R30MT12K 碳化硅MOSFET, 单, N通道, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
制造商GENESIC
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库存编号3598641
产品范围G3R
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产品信息

  • GENESIC
    制造商GENESIC
    制造商产品编号G3R30MT12K复制
    库存编号3598641
    产品范围G3R
    技术数据表

    Data Sheet

    MOSFET模块配置单
    通道类型N通道
    电流, Id 连续90A
    漏源电压, Vds1.2kV
    漏源接通状态电阻0.03ohm
    晶体管封装类型TO-247
    针脚数4引脚
    Rds(on)测试电压15V
    阈值栅源电压最大值2.69V
    功率耗散281W
    工作温度最高值175°C
    产品范围G3R
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (17-Dec-2015)

产品概述

  • G3R30MT12K 是一款 1200V、30 欧姆、N 沟道增强型碳化硅 MOSFET。其应用包括太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电、高压 DC-DC 转换器、开关模式电源、UPS、智能电网输配电、感应加热和焊接。

    • G3R™（第三代）技术，RDS（ON）温度系数低
    • 更低的 Q 值和更小的 RG(INT)，低器件电容（COSS、CRSS）
    • LoRing™ - 电磁优化设计，卓越的性价比指数
    • 稳健的体二极管，具有低 VF 和低 QRR，通过 100% 雪崩 (UIL) 测试
    • 与商用栅极驱动器兼容，各种温度下的传导损耗都很低
    • 开关速度更快，效率更高，开关尖峰更少，损耗更低
    • 减少振铃，提高功率密度和系统效率
    • 易于并联，不会出现热失控，具有卓越的坚固性和系统可靠性
    • 工作和存储温度范围为 -55 至 175°C，TO-247-4 封装
    • Tc = 100°C、V = -5 / +15V 时的连续正向电流为 50A

技术规格

  • MOSFET模块配置

    单

    电流, Id 连续

    90A

    漏源接通状态电阻

    0.03ohm

    针脚数

    4引脚

    阈值栅源电压最大值

    2.69V

    工作温度最高值

    175°C

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (17-Dec-2015)

    通道类型

    N通道

    漏源电压, Vds

    1.2kV

    晶体管封装类型

    TO-247

    Rds(on)测试电压

    15V

    功率耗散

    281W

    产品范围

    G3R

技术文档 1

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    United States
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.004536