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FDD8445.
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 15.2 A, 8700 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号FDD8445.复制
库存编号
复卷1228331RL
切割卷带1228331
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续15.2A
漏源接通状态电阻8700µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散79W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The FDD8445 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is suitable for electronic transmission, distributed power architecture and VRMs applications.
- Low miller charge
- Low Qrr body diode
- UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
15.2A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
79W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
8700µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001814