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DMT6018LDR-7

双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm

DIODES INC.
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
DIODES INC. DMT6018LDR-7 双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 8.8 A, 8.8 A, 0.017 ohm
制造商DIODES INC.
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制造商标准货期43 周
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复卷3518400RL
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数量价钱 (含税)
1+CNY11.740 (CNY13.2662)
10+CNY7.420 (CNY8.3846)
100+CNY4.930 (CNY5.5709)
500+CNY3.860 (CNY4.3618)
1000+CNY3.570 (CNY4.0341)
5000+CNY3.280 (CNY3.7064)
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产品信息

  • DIODES INC.
    制造商DIODES INC.
    制造商产品编号DMT6018LDR-7复制
    制造商标准货期43 周
    库存编号
    复卷3518400RL
    切割卷带3518400
    技术数据表

    Data Sheet

    通道类型N通道
    漏源电压Vds N沟道60V
    漏源电压Vds P沟道60V
    连续漏极电流 Id N沟道8.8A
    连续漏极电流 Id P沟道8.8A
    漏源通态电阻N沟道0.017ohm
    漏源导通电阻P沟道-
    晶体管封装类型VDFN3030
    针脚数8引脚
    耗散功率N沟道1.1W
    耗散功率P沟道1.1W
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • 警告

    该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    漏源电压Vds P沟道

    60V

    连续漏极电流 Id P沟道

    8.8A

    漏源导通电阻P沟道

    -

    针脚数

    8引脚

    耗散功率P沟道

    1.1W

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

    漏源电压Vds N沟道

    60V

    连续漏极电流 Id N沟道

    8.8A

    漏源通态电阻N沟道

    0.017ohm

    晶体管封装类型

    VDFN3030

    耗散功率N沟道

    1.1W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

技术文档 2

法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000127