DMP3099L-7

功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, 表面安装

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DIODES INC. DMP3099L-7 功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 3.8 A, 0.065 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息

  • 制造商DIODES INC.
    制造商产品编号DMP3099L-7复制
    库存编号
    整卷4318495
    复卷2543553RL
    切割卷带2543553
    技术数据表
    通道类型P通道
    漏源电压, Vds30V
    电流, Id 连续3.8A
    漏源接通状态电阻0.065ohm
    晶体管封装类型SOT-23
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压10V
    阈值栅源电压最大值2.1V
    功率耗散1.08W
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

产品概述

  • DMP3099L-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include backlighting, power-management functions, DC-DC converters.

    • Low gate threshold voltage, low input capacitance
    • Fast switching speed, low input/output leakage
    • Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
    • Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
    • Drain current is -3.8A at TA = +25°C, steady state, TA = +25°C
    • Pulsed drain current is -11A at TA = +25°C
    • Total power dissipation is 1.08W
    • Static drain-source on-resistance is 65mohm max at VGS = -10V, ID = -3.8A, TA = +25°C
    • SOT23 (standard) package
    • Operating and storage temperature range from -55 to +150°C

技术规格

  • 通道类型

    P通道

    电流, Id 连续

    3.8A

    晶体管封装类型

    SOT-23

    Rds(on)测试电压

    10V

    功率耗散

    1.08W

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

    漏源电压, Vds

    30V

    漏源接通状态电阻

    0.065ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    2.1V

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    湿气敏感性等级

    MSL 1 -无限制

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法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000054