DMN2005K-7

功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-23, 表面安装

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DIODES INC. DMN2005K-7 功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-23, 表面安装
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产品信息

  • 制造商DIODES INC.
    制造商产品编号DMN2005K-7复制
    库存编号
    复卷3943533RL
    切割卷带3943533
    技术数据表
    通道类型N通道
    漏源电压, Vds20V
    电流, Id 连续300mA
    漏源接通状态电阻0.4ohm
    晶体管封装类型SOT-23
    晶体管安装表面安装
    Rds(on)测试电压2.7V
    阈值栅源电压最大值900mV
    功率耗散350mW
    针脚数3引脚
    工作温度最高值150°C
    产品范围-
    合规-
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)

技术规格

  • 通道类型

    N通道

    电流, Id 连续

    300mA

    晶体管封装类型

    SOT-23

    Rds(on)测试电压

    2.7V

    功率耗散

    350mW

    工作温度最高值

    150°C

    合规

    -

    漏源电压, Vds

    20V

    漏源接通状态电阻

    0.4ohm

    晶体管安装

    表面安装

    阈值栅源电压最大值

    900mV

    针脚数

    3引脚

    产品范围

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (25-Jun-2025)

法律与环境

  • 原产地:
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:
    Taiwan
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号:85411000
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规:

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:

    RoHS

    SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量(千克):.000001