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DMG6602SVTX-7
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.035 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 复卷 | 5 | CNY3.500 | CNY17.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 10+ | CNY1.940 (CNY2.1922) |
| 100+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
| 500+ | CNY1.190 (CNY1.3447) |
| 1000+ | CNY0.748 (CNY0.8452) |
| 5000+ | CNY0.735 (CNY0.8306) |
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产品信息
制造商DIODES INC.
制造商产品编号DMG6602SVTX-7
库存编号
复卷3944067RL
切割卷带3944067
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds P沟道30V
电流, Id 连续3.4A
在电阻RDS（上）0.035ohm
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
连续漏极电流 Id P沟道3.4A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.035ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.035ohm
阈值栅源电压最大值1.2V
晶体管封装类型TSOT-26
功耗 Pd1W
针脚数6引脚
耗散功率N沟道1W
耗散功率P沟道1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
0.035ohm
连续漏极电流 Id P沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.035ohm
漏源导通电阻P沟道
0.035ohm
晶体管封装类型
TSOT-26
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
3.4A
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.2V
功耗 Pd
1W
耗散功率N沟道
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001