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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY18.130(CNY20.4869) 10+ CNY13.110(CNY14.8143) 50+ CNY12.050(CNY13.6165) 100+ CNY10.980(CNY12.4074) 250+ CNY10.290(CNY11.6277) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.280(CNY19.5264) 10+ CNY11.740(CNY13.2662) 50+ CNY11.120(CNY12.5656) 100+ CNY10.500(CNY11.865) 250+ CNY9.890(CNY11.1757) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.210(CNY25.0973) 10+ CNY15.130(CNY17.0969) 50+ CNY14.350(CNY16.2155) 100+ CNY13.570(CNY15.3341) 250+ CNY12.800(CNY14.464) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.580(CNY22.1254) 10+ CNY13.260(CNY14.9838) 50+ CNY12.580(CNY14.2154) 100+ CNY11.890(CNY13.4357) 250+ CNY11.210(CNY12.6673) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 270ns | 270ns | EiceDRIVER 1ED | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.660(CNY22.2158) 10+ CNY13.340(CNY15.0742) 50+ CNY12.650(CNY14.2945) 100+ CNY11.960(CNY13.5148) 250+ CNY11.280(CNY12.7464) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 270ns | 270ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY20.260(CNY22.8938) 10+ CNY13.720(CNY15.5036) 50+ CNY13.000(CNY14.690) 100+ CNY12.280(CNY13.8764) 250+ CNY11.590(CNY13.0967) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED | ||||||
