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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.810(CNY14.4753) 10+ CNY8.470(CNY9.5711) 50+ CNY8.020(CNY9.0626) 100+ CNY7.560(CNY8.5428) 250+ CNY7.100(CNY8.023) 更多价格信息... | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 430mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
每个 | 1+ CNY17.120(CNY19.3456) 10+ CNY11.680(CNY13.1984) 50+ CNY11.000(CNY12.430) 100+ CNY10.320(CNY11.6616) 250+ CNY9.770(CNY11.0401) 更多价格信息... | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 290mA | 430mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY22.050(CNY24.9165) 10+ CNY15.050(CNY17.0065) 50+ CNY14.270(CNY16.1251) 100+ CNY13.490(CNY15.2437) 250+ CNY12.710(CNY14.3623) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 10A | 9.4A | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY14.330(CNY16.1929) 10+ CNY9.530(CNY10.7689) 50+ CNY9.040(CNY10.2152) 100+ CNY8.540(CNY9.6502) 250+ CNY8.010(CNY9.0513) 更多价格信息... | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | MOSFET | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 430mA | 12.5V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.050(CNY21.5265) 10+ CNY17.070(CNY19.2891) 50+ CNY15.420(CNY17.4246) 100+ CNY13.760(CNY15.5488) 250+ CNY12.910(CNY14.5883) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1EDI | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.000(CNY12.430) | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.470(CNY32.1711) 10+ CNY21.440(CNY24.2272) 25+ CNY19.620(CNY22.1706) 50+ CNY18.670(CNY21.0971) 100+ CNY17.710(CNY20.0123) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | ||||||
每个 | 1+ CNY31.910(CNY36.0583) 10+ CNY24.140(CNY27.2782) 25+ CNY20.570(CNY23.2441) 50+ CNY20.340(CNY22.9842) 100+ CNY20.110(CNY22.7243) 更多价格信息... | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 430mA | 12.5V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.210(CNY23.9673) 10+ CNY15.860(CNY17.9218) 25+ CNY14.550(CNY16.4415) 50+ CNY13.840(CNY15.6392) 100+ CNY13.110(CNY14.8143) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY5.230(CNY5.9099) 10+ CNY3.360(CNY3.7968) 100+ CNY2.750(CNY3.1075) 500+ CNY2.630(CNY2.9719) 1000+ CNY2.620(CNY2.9606) | 1放大器 | - | 高压侧和低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 7引脚 | TSNP | 表面安装 | 逻辑器件 | 500mA | 500mA | 4.2V | 11V | -40°C | 150°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY29.320(CNY33.1316) 10+ CNY22.170(CNY25.0521) 25+ CNY20.340(CNY22.9842) 50+ CNY19.350(CNY21.8655) 100+ CNY18.360(CNY20.7468) 更多价格信息... | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 290mA | 430mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY4.140(CNY4.6782) 10+ CNY3.730(CNY4.2149) 100+ CNY3.510(CNY3.9663) 500+ CNY3.260(CNY3.6838) 1000+ CNY3.040(CNY3.4352) 更多价格信息... | 1放大器 | - | 高压侧或低压侧 | GaN HEMT, MOSFET | 10引脚 | VSON | 表面安装 | 反相, 非反相 | 500mA | 500mA | 4.2V | 11V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.580(CNY14.2154) 10+ CNY8.310(CNY9.3903) 50+ CNY7.850(CNY8.8705) 100+ CNY7.390(CNY8.3507) 250+ CNY6.940(CNY7.8422) 更多价格信息... | 2放大器 | - | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 290mA | 430mA | 10V | 20V | -40°C | 125°C | 125ns | 125ns | - | ||||||
