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栅极驱动器 :
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 驱动器封装类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY61.150(CNY69.0995) 10+ CNY47.290(CNY53.4377) 25+ CNY43.180(CNY48.7934) 50+ CNY41.390(CNY46.7707) 100+ CNY39.600(CNY44.748) 更多价格信息... | 8放大器 | - | 高压侧 | MOSFET | - | 36引脚 | PowerSOIC | 表面安装 | 非反向 | - | - | 10.5V | 45V | -40°C | 125°C | 50µs | 75µs | VIPower | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY73.060(CNY82.5578) 10+ CNY57.000(CNY64.410) 25+ CNY52.960(CNY59.8448) 50+ CNY50.790(CNY57.3927) 100+ CNY48.620(CNY54.9406) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 4.65V | 18V | -40°C | 125°C | 215ns | 215ns | EiceDRIVER SENSE | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY74.950(CNY84.6935) 10+ CNY58.520(CNY66.1276) 25+ CNY54.410(CNY61.4833) 50+ CNY52.130(CNY58.9069) 100+ CNY49.840(CNY56.3192) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT | - | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 4.65V | 18V | -40°C | 125°C | 215ns | 215ns | EiceDRIVER SIL | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 10+ CNY57.000(CNY64.410) 25+ CNY52.960(CNY59.8448) 50+ CNY50.790(CNY57.3927) 100+ CNY48.620(CNY54.9406) 250+ CNY46.530(CNY52.5789) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 4.65V | 18V | -40°C | 125°C | 215ns | 215ns | EiceDRIVER SENSE | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY57.670(CNY65.1671) 10+ CNY41.130(CNY46.4769) 50+ CNY36.990(CNY41.7987) 200+ CNY35.500(CNY40.115) 500+ CNY34.840(CNY39.3692) | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | SOIC | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2A | 2A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | - | - | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY92.930(CNY105.0109) 10+ CNY73.190(CNY82.7047) 25+ CNY67.370(CNY76.1281) 50+ CNY65.110(CNY73.5743) 100+ CNY62.840(CNY71.0092) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | SOIC | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2.4A | 2.4A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | - | - | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY26.960(CNY30.4648) 10+ CNY20.260(CNY22.8938) 25+ CNY18.590(CNY21.0067) 50+ CNY18.440(CNY20.8372) 100+ CNY18.290(CNY20.6677) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | - | 36引脚 | SO-36W | 表面安装 | 反相 | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 125°C | 75ns | 75µs | - | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 10+ CNY73.190(CNY82.7047) 25+ CNY67.370(CNY76.1281) 50+ CNY65.110(CNY73.5743) 100+ CNY62.840(CNY71.0092) 250+ CNY62.440(CNY70.5572) | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | IGBT | SOIC | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2.4A | 2.4A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | - | - | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY51.250(CNY57.9125) 10+ CNY37.530(CNY42.4089) 25+ CNY34.780(CNY39.3014) 50+ CNY33.140(CNY37.4482) 100+ CNY31.490(CNY35.5837) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 4.55V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY50.340(CNY56.8842) 10+ CNY38.460(CNY43.4598) 25+ CNY35.490(CNY40.1037) 50+ CNY33.900(CNY38.307) 100+ CNY32.300(CNY36.499) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 4.55V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY39.160(CNY44.2508) 10+ CNY28.910(CNY32.6683) 25+ CNY27.200(CNY30.736) 50+ CNY25.810(CNY29.1653) 100+ CNY24.480(CNY27.6624) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 36引脚 | LFDSO | 表面安装 | PWM | 20A | 20A | 4.5V | 5.5V | - | - | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY66.470(CNY75.1111) 10+ CNY45.390(CNY51.2907) 25+ CNY44.480(CNY50.2624) 50+ CNY43.600(CNY49.268) 100+ CNY42.710(CNY48.2623) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | - | IGBT, SiC MOSFET | - | 36引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | - | - | 5V | 32V | -40°C | 125°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY38.290(CNY43.2677) 10+ CNY28.270(CNY31.9451) 25+ CNY26.590(CNY30.0467) 50+ CNY25.240(CNY28.5212) 100+ CNY23.930(CNY27.0409) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | - | 36引脚 | LFDSO | 表面安装 | PWM | 20A | 20A | 4.5V | 5.5V | - | - | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
