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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道数 | 栅极驱动器类型 | 驱动配置 | 电源开关类型 | 针脚数 | IC 外壳 / 封装 | 芯片安装 | 输入类型 | 拉电流 | 灌电流 | 电源电压最小值 | 电源电压最大值 | 工作温度最小值 | 工作温度最高值 | 输入延迟 | 输出延迟 | 产品范围 | 合规 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.910(CNY27.0183) 10+ CNY18.070(CNY20.4191) 25+ CNY16.510(CNY18.6563) 50+ CNY15.740(CNY17.7862) 100+ CNY14.960(CNY16.9048) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | 6A | 8.5A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 150°C | 85ns | 85ns | EiceDRIVER 1ED332xMC12N系列 | - | ||||||
单件（切割供应） 复卷 | 100+ CNY19.450(CNY21.9785) 250+ CNY18.660(CNY21.0858) 500+ CNY17.890(CNY20.2157) 1000+ CNY16.890(CNY19.0857) | 1放大器 | - | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | SOIC | - | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY29.590(CNY33.4367) 10+ CNY22.530(CNY25.4589) 25+ CNY21.280(CNY24.0464) 50+ CNY20.360(CNY23.0068) 100+ CNY19.450(CNY21.9785) 更多价格信息... | 1放大器 | - | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | SOIC | - | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY28.950(CNY32.7135) 10+ CNY21.930(CNY24.7809) 25+ CNY20.130(CNY22.7469) 50+ CNY19.150(CNY21.6395) 100+ CNY18.170(CNY20.5321) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 36ns | 36ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY26.560(CNY30.0128) 10+ CNY20.060(CNY22.6678) 25+ CNY18.390(CNY20.7807) 50+ CNY17.520(CNY19.7976) 100+ CNY16.660(CNY18.8258) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧，低压侧，半桥 | MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 逻辑器件 | 4.5A | 9A | 3V | 5V | -40°C | 125°C | 39ns | 39ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY40.780(CNY46.0814) 10+ CNY28.010(CNY31.6513) 25+ CNY26.080(CNY29.4704) 50+ CNY24.510(CNY27.6963) 100+ CNY22.930(CNY25.9109) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 18引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相 | 1A | 2A | 14V | 18V | -40°C | 125°C | 85ns | 85ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.410(CNY14.0233) 10+ CNY8.230(CNY9.2999) 50+ CNY7.770(CNY8.7801) 100+ CNY7.300(CNY8.249) 250+ CNY6.870(CNY7.7631) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | GaN、Si MOSFET、SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY12.410(CNY14.0233) 10+ CNY8.230(CNY9.2999) 50+ CNY7.770(CNY8.7801) 100+ CNY7.300(CNY8.249) 250+ CNY6.870(CNY7.7631) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | MOSFET, SiC MOSFET, GaN功率器件 | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.4A | 9.8A | 3V | 15V | -40°C | 125°C | 45ns | 45ns | EiceDRIVER 1EDBx275F | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY34.800(CNY39.324) 10+ CNY26.500(CNY29.945) 25+ CNY24.070(CNY27.1991) 50+ CNY23.080(CNY26.0804) 100+ CNY22.090(CNY24.9617) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY24.070(CNY27.1991) 10+ CNY18.060(CNY20.4078) 25+ CNY16.530(CNY18.6789) 50+ CNY15.700(CNY17.741) 100+ CNY14.860(CNY16.7918) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY21.610(CNY24.4193) 10+ CNY14.530(CNY16.4189) 50+ CNY13.840(CNY15.6392) 100+ CNY13.150(CNY14.8595) 250+ CNY12.450(CNY14.0685) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 14A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY16.530(CNY18.6789) 10+ CNY11.210(CNY12.6673) 50+ CNY10.600(CNY11.978) 100+ CNY9.990(CNY11.2887) 250+ CNY9.460(CNY10.6898) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 13.5A | 14A | 3.1V | 15V | -40°C | 150°C | 90ns | 90ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY23.990(CNY27.1087) 10+ CNY18.050(CNY20.3965) 25+ CNY17.970(CNY20.3061) 50+ CNY17.880(CNY20.2044) 100+ CNY17.790(CNY20.1027) 更多价格信息... | 2放大器 | 隔离式 | 半桥 | SiC MOSFET | 36引脚 | SO-36W | 表面安装 | 反相 | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -40°C | 125°C | 75ns | 75ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY33.360(CNY37.6968) 10+ CNY25.290(CNY28.5777) 25+ CNY23.310(CNY26.3403) 50+ CNY22.170(CNY25.0521) 100+ CNY21.020(CNY23.7526) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 隔离型 | SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | 4A | 4A | 3.1V | 5.5V | -50°C | 150°C | 75ns | 75ns | - | - | ||||||
INFINEON | 单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY31.820(CNY35.9566) 10+ CNY24.130(CNY27.2669) 25+ CNY21.970(CNY24.8261) 50+ CNY21.040(CNY23.7752) 100+ CNY20.100(CNY22.713) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | DSO | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 5V | 15V | -40°C | 105°C | 170ns | 165ns | - | - | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY36.190(CNY40.8947) 10+ CNY27.560(CNY31.1428) 25+ CNY25.440(CNY28.7472) 50+ CNY24.240(CNY27.3912) 100+ CNY23.050(CNY26.0465) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 16引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | - | - | 13V | 20V | -40°C | 105°C | 170ns | 165ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY48.210(CNY54.4773) 10+ CNY34.040(CNY38.4652) 50+ CNY31.000(CNY35.030) 200+ CNY29.710(CNY33.5723) 500+ CNY29.180(CNY32.9734) | 2放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 36引脚 | SOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 2A | 2A | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | - | - | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY34.800(CNY39.324) 10+ CNY26.500(CNY29.945) 25+ CNY24.370(CNY27.5381) 50+ CNY23.230(CNY26.2499) 100+ CNY22.090(CNY24.9617) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | SiC MOSFET | 20引脚 | SOIC | 表面安装 | 非反向 | 20A | 20A | 3V | 5.5V | -40°C | 150°C | 60ns | 60ns | - | AEC-Q100 | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY15.400(CNY17.402) 10+ CNY10.220(CNY11.5486) 50+ CNY9.760(CNY11.0288) 100+ CNY9.300(CNY10.509) 250+ CNY8.690(CNY9.8197) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | DSO | 表面安装 | - | - | - | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY19.050(CNY21.5265) 10+ CNY17.070(CNY19.2891) 50+ CNY15.420(CNY17.4246) 100+ CNY13.760(CNY15.5488) 250+ CNY12.910(CNY14.5883) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | SOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.3V | 15V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1EDI | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.980(CNY15.7974) 10+ CNY9.880(CNY11.1644) 50+ CNY9.710(CNY10.9723) | 1放大器 | - | 半桥 | MOSFET | 31引脚 | PowerPAK MLP55 | 表面安装 | 逻辑器件 | - | - | 4.5V | 5.5V | -40°C | 125°C | 10ns | 15ns | VRPower | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY7.240(CNY8.1812) | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | DSO | 表面安装 | - | - | - | 3.5V | 15V | -40°C | 125°C | 300ns | 300ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY17.990(CNY20.3287) 10+ CNY12.120(CNY13.6956) 50+ CNY11.510(CNY13.0063) 100+ CNY10.900(CNY12.317) 250+ CNY10.290(CNY11.6277) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 5.5A | 5.5A | 3.1V | 15V | -40°C | 125°C | 90ns | 90ns | EiceDRIVER 1ED31xxMC12H | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY48.700(CNY55.031) 10+ CNY38.870(CNY43.9231) 25+ CNY36.300(CNY41.019) 50+ CNY34.870(CNY39.4031) 100+ CNY33.430(CNY37.7759) 更多价格信息... | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧和低压侧 | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET | 16引脚 | WSOIC | 表面安装 | 反相, 非反相 | 7.8A | 7.1A | 3.3V | 5V | -40°C | 125°C | 60ns | 66ns | - | - | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY10.480(CNY11.8424) | 1放大器 | 隔离式 | 高压侧 | IGBT, SiC MOSFET | 8引脚 | WSOIC | 表面安装 | - | - | - | 3.1V | 17V | -40°C | 125°C | 120ns | 125ns | EiceDRIVER 1ED | - | ||||||
