打印页面
IMW65R010M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 130 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R010M2HXKSA1复制
库存编号4573829
产品范围CoolSiC G2 Series
也称为IMW65R010M2H, SP006051133
您的零件号
129 有货
240 您现在可以预订货品了
129 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY188.880 (CNY213.4344) |
| 5+ | CNY166.670 (CNY188.3371) |
| 10+ | CNY144.450 (CNY163.2285) |
| 50+ | CNY140.180 (CNY158.4034) |
| 100+ | CNY135.910 (CNY153.5783) |
| 250+ | CNY119.470 (CNY135.0011) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY188.88 (CNY213.43 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R010M2HXKSA1复制
库存编号4573829
产品范围CoolSiC G2 Series
也称为IMW65R010M2H, SP006051133
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续130A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.0131ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散440W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
130A
漏源接通状态电阻
0.0131ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
440W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.145149