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MMUN2115LT1G
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
不再進貨
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号MMUN2115LT1G
库存编号9556710
产品范围MUN2115 Series
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流-100mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R2-
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散400mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值160hFE
产品范围MUN2115 Series
合规-
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
MMUN2115LT1G 的替代之选
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产品概述
The MMUN2115LT1G is a PNP Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. This bias resistor transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates the individual components by integrating into a single device.
- Simplifies circuit Design
- Reduces component count
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
-100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
-
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
400mW
直流电流增益, Hfe 最小值
160hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
MUN2115 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033