360W IGBT单晶体管:
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制造商
连续集电极电流
集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
每个 | 1+ CNY224.070 (CNY253.1991)5+ CNY193.460 (CNY218.6098)10+ CNY176.510 (CNY199.4563) | 80A | 2.8V | 360W | 1.7kV | TO-247 | 3引脚 | 150°C | 通孔 | BIMOSFET | ||||||
每个 | 1+ CNY286.370 (CNY323.5981)5+ CNY251.390 (CNY284.0707)10+ CNY228.880 (CNY258.6344) | 80A | 2.8V | 360W | 1.7kV | TO-268 (D3PAK) | 3引脚 | 150°C | 表面安装 | BiMOSFET系列 | ||||||

