2.8V IGBT单晶体管:

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集电极-发射极饱和电压
功率耗散
最大集电极发射电压
晶体管封装类型
针脚数
工作温度最高值
晶体管安装
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3438361

RoHS

每个
1+
CNY224.070
(CNY253.1991)
5+
CNY193.460
(CNY218.6098)
10+
CNY176.510
(CNY199.4563)
80A
2.8V
360W
1.7kV
TO-247
3引脚
150°C
通孔
BIMOSFET
3930299

RoHS

每个
1+
CNY238.130
(CNY269.0869)
5+
CNY208.420
(CNY235.5146)
10+
CNY181.970
(CNY205.6261)
178A
2.8V
1.5kW
1.7kV
PLUS247
3引脚
175°C
通孔
-
3930485

RoHS

每个
1+
CNY286.370
(CNY323.5981)
5+
CNY251.390
(CNY284.0707)
10+
CNY228.880
(CNY258.6344)
80A
2.8V
360W
1.7kV
TO-268 (D3PAK)
3引脚
150°C
表面安装
BiMOSFET系列
1-3 项,共 3 项
,共 1 页

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