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单MOSFET :
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功率耗散
=36.8W
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Rds(on)测试电压
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包装
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| 比较 | 制造商产品编号 | 库存编码 | 制造商 / 说明 | 库存数 | 包装规格 | 价钱 (含税) | 数量 | 通道类型 | 漏源电压, Vds | 电流, Id 连续 | 漏源接通状态电阻 | 晶体管封装类型 | 晶体管安装 | Rds(on)测试电压 | 阈值栅源电压最大值 | 功率耗散 | 针脚数 | 工作温度最高值 | 产品范围 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.950(CNY15.7635) 10+ CNY8.690(CNY9.8197) 100+ CNY5.770(CNY6.5201) 500+ CNY4.580(CNY5.1754) 1000+ CNY3.720(CNY4.2036) 更多价格信息... | N通道 | 700V | 6.7A | 0.62ohm | ThinPAK 5x6 | 表面安装 | 10V | 3V | 36.8W | 8引脚 | 150°C | CoolMOS P7 Series | ||||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY9.380(CNY10.5994) 10+ CNY5.880(CNY6.6444) 100+ CNY3.860(CNY4.3618) 500+ CNY3.000(CNY3.390) 1000+ CNY2.360(CNY2.6668) 更多价格信息... | N通道 | 30V | 60A | 6830µohm | PowerPAK 1212 | 表面安装 | 10V | 2.4V | 36.8W | 8引脚 | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | ||||||
